ຜະລິດຕະພັນໃຫມ່ຂອງພວກເຮົາ - 300W GaN Power Supply

ດາວແວວເປັນວິສາຫະກິດເຕັກໂນໂລຊີສູງຊ່ຽວຊານໃນການສະຫນອງພະລັງງານການຜະລິດ, ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະ R & D ແລະການຜະລິດຜະລິດຕະພັນສະຫນອງພະລັງງານກ້າວຫນ້າທາງດ້ານຕ່າງໆ, ລວມທັງການສະຫນອງພະລັງງານ POE, ການສະຫນອງພະລັງງານການສື່ສານ, inverters ການເກັບຮັກສາພະລັງງານ, ອະແດບເຕີພະລັງງານ, ການສະຫນອງພະລັງງານຄວບຄຸມອຸດສາຫະກໍາ, ແລະອື່ນໆ, ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຂົງເຂດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ການວິເຄາະບັນຫານີ້ນໍາເອົາໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານ 300W 48V GaN.

ຮູບແບບຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານນີ້ແມ່ນ R0168, ສະຫນັບສະຫນູນແຮງດັນ input ຂອງ 100 ~ 264Vac, ມີຜົນຜະລິດຂອງ 48V 6.25A ແລະພະລັງງານຜົນຜະລິດຂອງ 300W. ມັນ​ສາ​ມາດ​ເຮັດ​ວຽກ​ຢູ່​ໃນ​ລະ​ດັບ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ລ້ອມ​ຮອບ​ຂອງ -10 ~ 55 ℃​. ການສະຫນອງພະລັງງານມີການອອກແບບແບບໂມດູນ, ໂດຍມີຕົວເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ສະຫນອງໃຫ້ຢູ່ທັງສອງປາຍຂາເຂົ້າແລະຜົນຜະລິດ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນການວິເຄາະການແກ້ໄຂຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານ 300W GaN ນີ້, ເພື່ອເບິ່ງການອອກແບບພາຍໃນແລະວັດສະດຸຂອງມັນ.

ຮູບລັກສະນະຂອງ STARWELL 300W GaN Power Supply 

ໂມດູນ

ໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານ STARWELL 300W GaN ຮັບຮອງເອົາເປືອກຫຸ້ມນອກໂລຫະປະສົມອາລູມິນຽມ. ດ້ານຫນ້າຂອງໂມດູນ PCBA ແມ່ນມີເຄື່ອງລະບາຍຄວາມຮ້ອນຂອງໂລຫະປະສົມອາລູມິນຽມ, ມີພື້ນທີ່ເປັນຮູທີ່ສອດຄ້ອງກັນກັບຕົວເກັບປະຈຸການກັ່ນຕອງແຮງດັນສູງແລະ inductor ຊຸກຍູ້ PFC ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາ.

ດ້ານຫລັງຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານແມ່ນເປືອກຫຸ້ມນອກໂລຫະປະສົມອາລູມິນຽມ.

ຮຸ່ນ: B0168

ວັດສະດຸປ້ອນ: 100-240V ~ 50/60Hz 5.0A Max

ຜົນຜະລິດ: 48V 6.25A

ສາຍອອກແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍການ soldering, ມີທໍ່ລະບາຍຄວາມຮ້ອນຫົດແຂນໃສ່ຂໍ້ຕໍ່ solder ສໍາລັບ insulation.

ການປິດຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ຜົນຜະລິດ: ສາຍສີແດງແມ່ນຂົ້ວບວກ, ແລະແຂນແມ່ນຫມາຍສໍາລັບຜົນຜະລິດ 48V.

ຄວາມຍາວຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ວັດແທກດ້ວຍ vernier caliper ແມ່ນປະມານ 127.1mm.

ຄວາມກວ້າງຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານແມ່ນປະມານ 76.4mm.

ຄວາມຫນາຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານແມ່ນປະມານ 40.4mm.

ການຮັບຮູ້ຂະຫນາດ intuitive ຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ຖືຢູ່ໃນມື. ຂໍຂອບໃຈກັບການນໍາໃຊ້ອຸປະກອນພະລັງງານ GaN, ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານໄດ້ຖືກປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ແລະປະລິມານຂອງພະລັງງານຜົນຜະລິດ 300W ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ປະຫຍັດພື້ນທີ່.

ນ້ໍາຫນັກທີ່ວັດແທກຂອງໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານແມ່ນປະມານ 441g.

ການວິເຄາະການສະຫນອງພະລັງງານ STARWELL 300W GaN

ໂມດູນ

ໂມດູນ PCBA ຖືກສ້ອມແຊມກັບຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນດ້ວຍສະກູ.

ແຜ່ນຊິລິໂຄນ insulating ໄດ້ຖືກວາງໄວ້ໃນຕໍາແຫນ່ງທີ່ສອດຄ້ອງກັນກັບຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນໃນເວລາທີ່ໂມດູນ PCBA ຖືກເອົາອອກ.

ແຜ່ນ Mylar insulating ແມ່ນສະຫນອງໃຫ້ຢູ່ດ້ານຂ້າງຂອງໂມດູນ PCBA.

ແຜ່ນ insulating Mylar ໄດ້ຖືກໂຍກຍ້າຍອອກ, ໂດຍມີຮູຕັດຢູ່ຕໍາແຫນ່ງທີ່ສອດຄ້ອງກັນກັບອຸປະກອນພະລັງງານ, ແລະແຜ່ນຄວາມຮ້ອນໄດ້ຖືກສະຫນອງໃຫ້ເພື່ອດໍາເນີນການຄວາມຮ້ອນ.

ສາມ pads ຄວາມຮ້ອນກົງກັນກັບສະຫຼັບ PFC, ສະຫຼັບ LLC, ແລະ rectifier synchronous ຕາມລໍາດັບ.

ເຄື່ອງລະບາຍຄວາມຮ້ອນຂອງໂລຫະປະສົມອາລູມິນຽມຍັງຖືກປົກຄຸມຢູ່ໃນໂມດູນ PCBA, ແລະອຸປະກອນພະລັງງານໄດ້ຖືກສ້ອມແຊມດ້ວຍສະກູ.

ເຄື່ອງລະບາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ປົກຄຸມຢູ່ໃນໂມດູນ PCBA ໄດ້ຖືກໂຍກຍ້າຍອອກໂດຍການຖອດອອກ.

ຂົວ rectifier, ໄດໂອດ rectifier PFC, ແລະສະຫຼັບຄວາມຮ້ອນຖືກສ້ອມແຊມໃສ່ຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນ.

ພາບລວມຂອງດ້ານຫນ້າຂອງໂມດູນ PCBA: ດ້ານຊ້າຍແມ່ນຕິດຕັ້ງເຕົ້າສຽບໄຟ, ຟິວ, ຕົວເກັບປະຈຸ Y, varistor, inductor ຮູບແບບທົ່ວໄປ, ແລະຕົວເກັບປະຈຸ X2 ຄວາມປອດໄພ. ຕໍາແຫນ່ງກາງແມ່ນອຸປະກອນທີ່ມີ inductor ຊຸກຍູ້ PFC ແລະຕົວເກັບປະຈຸການກັ່ນຕອງແຮງດັນສູງ. ດ້ານຂວາແມ່ນອຸປະກອນ LLC resonant capacitor, resonant inductor, transformer, filter capacitor, ແລະ filter inductor.

ຢູ່ດ້ານຫຼັງຂອງໂມດູນ PCBA, ມີຕົວຄວບຄຸມ 2-in-1 PFC+LLC. ສະວິດ PFC ຕັ້ງຢູ່ເບື້ອງຊ້າຍລຸ່ມ, ສະຫຼັບ LLC ແມ່ນຢູ່ຂ້າງເທິງຊິບຄວບຄຸມຕົ້ນຕໍ, optocoupler ຄວາມຄິດເຫັນແມ່ນຢູ່ເບື້ອງຂວາ, ແລະຕົວຄວບຄຸມ rectifier synchronous ແລະ rectifiers synchronous ສອງແມ່ນຢູ່ດ້ານລຸ່ມ. ກະດານທັງຫມົດຖືກເຄືອບດ້ວຍການເຄືອບທີ່ສອດຄ່ອງກັນເພື່ອປ້ອງກັນ.

ສະຖານີປ້ອນຂໍ້ມູນ AC ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ດ້ວຍຕົວເຊື່ອມຕໍ່.

ຊິບຄວບຄຸມຕົ້ນຕໍຂອງການສະຫນອງພະລັງງານຮັບຮອງເອົາ Mornsun Semiconductor HR1211, ເປັນຕົວຄວບຄຸມ multi-mode PFC ແລະປະຈຸບັນ LLC 2-in-1 controller. ມັນປະສົມປະສານຫນ້າທີ່ຕ້ອງການ 2-3 chip ໃນການແກ້ໄຂແບບດັ້ງເດີມເຂົ້າໄປໃນຊິບດຽວ. ຕົວຄວບຄຸມ PFC ຮອງຮັບຮູບແບບການໃຊ້ງານ CCM ແລະ DCM.

HR1211 ຮັບຮອງເອົາຫຼັກການຄວບຄຸມດິຈິຕອນ, ສະຫນັບສະຫນູນການເລີ່ມຕົ້ນທີ່ມີແຮງດັນສູງແລະອັດສະລິຍະ X capacitor discharge. ເວທີ PFC ສະຫນັບສະຫນູນຄວາມຖີ່ຂອງການດໍາເນີນການສູງສຸດຂອງ 250KHz. ຂັ້ນຕອນຂອງ LLC ມີໄດເວີເຄິ່ງຂົວ 600V ທີ່ມີການກໍ່ສ້າງໃນ bootstrap diode ປະສົມປະສານ, ເຮັດວຽກຢູ່ໃນຄວາມຖີ່ສູງເຖິງ 500KHz. ມັນສະຫນັບສະຫນູນຫນ້າທີ່ປ້ອງກັນທີ່ສົມບູນແບບແລະຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນ SOIC-20.

Inductor ຊຸກຍູ້ PFC ແມ່ນບາດແຜດ້ວຍວົງແມ່ເຫຼັກ, ແລະແຜ່ນ bakelite ໄດ້ຖືກສະຫນອງໃຫ້ຢູ່ດ້ານລຸ່ມສໍາລັບການ insulation.

ສອງຕົວຕ້ານທານ70mΩຖືກເຊື່ອມຕໍ່ໃນຂະຫນານເພື່ອກວດພົບກະແສສະຫຼັບ.

PFC rectifier diode ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ເປັນຊຸດດ້ວຍລູກປັດແມ່ເຫຼັກ.

Thermistor NTC ແມ່ນຫມາຍ 2.5D-11, ໃຊ້ເພື່ອສະກັດກັ້ນການສາກໄຟຂອງຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າແຮງດັນສູງ.

capacitors ເຊລາມິກແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ໃນຂະຫນານກັບຕົວເກັບປະຈຸ electrolytic, ໂດຍມີສະເພາະຂອງ 0.01μF 1KV.

ສະຫຼັບ LLC ແມ່ນມາຈາກ ZenerTech, ຮູບແບບ ZN65C1R200L, ໂຄງສ້າງ Cascode GaN ສະຫຼັບກັບທົນແຮງດັນຂອງ 700V ແລະຊົ່ວຄາວທົນແຮງດັນຂອງ 800V, on-resistance 200mΩ, gate drive ສະຫນັບສະຫນູນແຮງດັນຂອງ 20V. ມັນມີລັກສະນະການເກັບຄ່າປະຕູຕ່ໍາ, ປະສິດທິຜົນເຮັດໃຫ້ວົງຈອນຂັບງ່າຍຂຶ້ນ. ເໝາະສຳລັບເຄື່ອງສາກໄວ, ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າໃນການສື່ສານ, ສູນຂໍ້ມູນ, ແລະການນຳໃຊ້ໄຟ, ບັນຈຸຢູ່ໃນ DFN8*8.

The resonant capacitor ແມ່ນຂອງຊຸດ MMKP82, ມີສະເພາະຂອງ 0.047μF 630V.

ຕົວ inductor resonant ຮັບ PQ2020 ແກນແມ່ເຫຼັກແລະຖືກບາດແຜດ້ວຍສາຍ litz.

ຫມໍ້ແປງຮັບຮອງເອົາ PQ3525 ຫຼັກແມ່ເຫຼັກ, ຫມາຍດ້ວຍຮູບແບບການສະຫນອງພະລັງງານ R0168.

ຕົວຄວບຄຸມ rectifier synchronous ແມ່ນມາຈາກ MPS, ຮູບແບບ MP6924A, ເປັນຕົວຄວບຄຸມ rectifier synchronous LLC ທີ່ມີຫນ້າທີ່ຕ້ານການລົບກວນທີ່ແຂງແຮງກວ່າແລະການປິດໄວ, ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບໂຫມດ CCM / DCM. MP6924A ປະສົມປະສານສອງຕົວຄວບຄຸມ rectifier synchronous ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການແກ້ໄຂຂອງສອງທໍ່ຮອງຂອງ LLC, ເຫມາະສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການແກ້ໄຂ synchronous ແປງ LLC, ຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນ SOIC-8.

A capacitor ceramic ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງ terminal ຜົນຜະລິດແລະຫນ້າດິນ, ມີສະເພາະຂອງ 0.01μF 2KV.

ຕົວເກັບປະຈຸການກັ່ນຕອງຜົນຜະລິດແມ່ນມາຈາກ Sancon (Nantong Sanxin), ຊຸດ RF capacitors ຊີວິດຍາວ, ມີສະເພາະຂອງ 63V 330μF, ສອງໃນຂະຫນານ.

ຕົວ inductor ການກັ່ນຕອງແມ່ນແຂນທີ່ມີທໍ່ລະບາຍຄວາມຮ້ອນສໍາລັບການ insulation.

capacitor ການກັ່ນຕອງອີກອັນຫນຶ່ງມີຂໍ້ກໍານົດຂອງ 63V 150μF.

ໃກ້ຕົວຂອງຕົວກັ່ນຕອງແຫວນແມ່ເຫຼັກຜົນຜະລິດ.

ສະຫຼຸບ

ໂດຍຜ່ານການວິເຄາະ, ມັນພົບວ່າໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານ 300W GaN ທີ່ເປີດຕົວໂດຍ STARWELL ໃຊ້ຂົວ rectifier ຜ່ານຮູແລະ diodes rectifier ແກ້ໄຂຢູ່ໃນຊຸດຄວາມຮ້ອນພາຍໃນ. ສະວິດ Patch GaN ໃຊ້ແຜ່ນຄວາມຮ້ອນເພື່ອເຮັດຄວາມຮ້ອນໃສ່ເປືອກໂລຫະປະສົມອາລູມິນຽມດ້ານລຸ່ມສໍາລັບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ, ປັບປຸງຄວາມສາມາດໃນການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ. ສະວິດຄວາມຮ້ອນຖືກຕິດຕັ້ງຢູ່ບ່ອນລະບາຍຄວາມຮ້ອນພາຍໃນເພື່ອສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານຂອງຕົວຄວບຄຸມໃນກໍລະນີທີ່ມີຄວາມຮ້ອນເກີນ, ຮັບຮູ້ການປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນເກີນໂດຍລວມ.

ໂມດູນການສະຫນອງພະລັງງານ GaN ນີ້ຮັບຮອງເອົາການແກ້ໄຂການຄວບຄຸມ Mornsun Semiconductor, ໂດຍໃຊ້ HR1211 2-in-1 controller ກັບ MP6924A synchronous rectifier controller. ສະວິດ PFC ຮັບຮອງເອົາສະວິດ ZenerTech ZN65C1R070L GaN, PFC rectifier diode adopts Sanken SDS065J008N3 SiC diode, ແລະສະຫຼັບ LLC ຮັບຮອງເອົາ ZN65C1R200L GaN switch. semiconductors ຮຸ່ນທີສາມຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປັບປຸງປະສິດທິພາບການແປງພະລັງງານ, ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານແລະຄວາມຕ້ອງການການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ.